部品・材料

SKハイニックス:EUV装置を使用した1anmDRAMの量産を開始

 SKハイニックスは、10nmの第4世代である1anmをベースにした8ギガビット LPDDR4モバイルDRAMの量産を今月開始したと発表した。

※LPDDR4(低電力ダブルデータレート4):モバイルデバイス用の低電力DRAM。DDRは、JEDECが標準化し、世代が1から4に進んだ仕様のDRAMを指しす。

 半導体業界が10nmDRAM製品を分類し、アルファベットにちなんで名付けているため、1aテクノロジーは1x、1y、および1zの最初の3世代に続く第4世代だ。SKハイニックスは2021年後半からスマートフォンメーカーに最新のモバイルDRAM製品を提供する予定だ。

 SKハイニックスが1ynmDRAM生産に部分的に採用することで最先端のリソグラフィ技術の安定性を証明した後、大量生産に* EUV装置を採用したのはこれが初めて。

※EUV(Extreme Ultraviolet):極端紫外線を使用するリソグラフィ技術

 技術の移行が超ミクロレベルに進むにつれて、回路パターンがウェーハ表面に描かれる写真プロセスにEUV装置を採用する半導体企業が増えている。業界の専門家は、半導体企業の技術におけるリーダーシップは、EUV装置を十分に活用する方法にかかっていると考えている。SKハイニックスは、プロセスの安定性が証明されているため、今後、すべての1anmDRAM製品の製造にEUV技術を使用する予定だ。

 SKハイニックスでは、新技術が生産性の向上をもたらし、コスト競争力をさらに高めることを期待しており、同社は、1anmテクノロジーにより、以前の1znmノードと比較して、同じサイズのウェーハから製造されるDRAMチップの数が25%増加すると予想している。1anm DRAMは、DRAM需要が世界的に増加した後、世界市場の需給状況を緩和するのにも役立つと考えているという。

 新製品は、標準のLPDDR4モバイルDRAM仕様で最速の転送速度である4266Mbpsを安定して実行し、消費電力を20%削減しました。これは、環境、社会、ガバナンス(ESG)管理への取り組みの一環として二酸化炭素排出量を削減することを目的としている。

 SKハイニックスは、2020年10月に発売された世界初の次世代DRAMであるDDR5製品に、来年初めから1anm技術を適用します。

●詳細は下記URLより

https://news.skhynix.com/sk-hynix-starts-mass-production-of-1anm-dram-using-euv-equipment/

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